Fraunhofer-Gesellschaft

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SiO(x)-basierte Barriereschichten für die Dünnschichtphotovoltaik

 
: Händel, F.; Morgner, H.; Metzner, C.; Würz, R.; Eicke, A.

Tiller, H.-J.:
Oberflächentechnik für die Praxis. Plenarvorträge, Kurzvorträge, Posterzusammenfassungen : Gewidmet Herrn Prof. Dr. Peter Görnert anlässlich seines 65. Geburtstages. Jena, 16. - 18. September 2008
Jena: Innovent, 2008
ISBN: 978-3-00-025424-6
S.114-119
Thüringer Grenz- und Oberflächentage (ThGOT) <4, 2008, Jena>
Thüringer Kolloquium Dünne Schichten in der Optik <1, 2008, Jena>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer FEP ()
Photovoltaik; Dünnschicht; Dünnschichttechnik; Sperrschicht; Siliciumoxid; Plasmapolymerisation

Abstract
In der Dünnschichtphotovoltaik sind Diffusionsbarriereschichten sowie Funktionsschichten zur elektrischen Isolation notwendig. Beim Übergang vom starren Glassubstrat zur flexiblen Metallfolie als Trägermaterial für Dünnschichtsolarzellen muss die Diffusion von Fremdatomen aus dem Metall unterbunden werden. Zudem ist bei Modulen mit monolithischer Serienverschaltung eine elektrische Trennung des Rückseiten- Zellkontaktes vom leitfähigen Substrat erforderlich. Im Rahmen des Verbundprojektes FlexNet wurden hierzu SiO(x) basierte Schichten auf Stahlband durch plasmaaktivierte Elektronenstrahlbedampfung, durch Plasmapolymerisation sowie mittels einer Kombination beider Prozesse abgeschieden. An den Schichten fanden elektrische und dielektrische Untersuchungen zur Charakterisierung der Isolationseigenschaften sowie Gefüge- und Schichtwachstumsbetrachtungen statt. Die Barrierewirkungen der Funktionsschichten wurden durch SIMS-Messungen (Second Ion Mass Spectrometry) evaluiert. Die Isolationseigenschaften der Schichten zeichnen sich in Durchbruchsspannungswerten im Bereich einiger hundert Volt aus. Die Barriereeigenschaften sind anhand der starken Reduzierung der Fe-Diffusion in die CIGS-Schicht (Kupfer-Indium- Gallium-Selenid) ersichtlich.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-90040.html