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Magnetronplasmaanlage

Sputtering system i.e. magnetron plasma system, for e.g. high power pulse magnetron sputtering application, has connection for current supply to plasma chamber, and downstream electronic switch synchronously controlled by controller
 
: Vergöhl, M.; Bandorf, R.; Mark, G.

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DE 102007011230 A: 20070306
DE 102007011230 A: 20070306
H05H0001
H01J0037
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IST ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft eine Sputteranlage, umfassend eine erste Spannungsquelle und eine zweite Sapnnungsquelle, deren zwei Ausgaenge miteinander parallel geschaltet sind, wobei in einer Verbindung (14) der ersten Ausgaenge der beiden Spannungsquellen (10, 12, 38) zwei gegeneinander geschaltete Dioden (D1, D2) angeordnet sind, zwischen denen ein Abgriff (18) angeordnet ist, der mit einem ersten Anschluss (21) fuer die Stromzufuhr in eine Plasmakammer (22) verbunden ist und wobei der zweite Anschluss (23) fuer die Stromzufuhr in die Plasmakammer (22) mit der Verbindung (16) der anderen Ausgaenge der Spannungsquellen (10, 12, 38) verbunden ist oder die beiden Spannungsquellen (10) oder diesen nachgeordnete elektronische Schalter (82, 84) durch eine gemeinsame Steuerung (34) synchronisiert angesteuert sind. Die Erfindung betrifft ebenfalls eine Sputteranlage, umfassend wenigstens eine Spannungsquelle (10, 12, 38) fuer die Stromzufuhr in eine Plasmakammer, in der eine die Kathode (20, 50, 52) umgebende Anode (24, 54, 56) vorgesehen ist, welche Anode durch wenigstens einen Schalter (Sm1, Sm2) und/oder eine Diode (D3) mit einem auf einem definierten Potential liegenden Anschluss, insbesondere mit der Gehaeusemasse (26) verbunden ist. Durch beide Anordnungen laesst sich das Plasma und die Abscheidung in einer Magnetron-Beschichtungsanlage sehr individuell auf unterschiedliche Targets, Substrate und deren Geometrien einstellen.

 

DE 102007011230 A1 UPAB: 20080930 NOVELTY - The system has two diodes connected opposite to each other and arranged at a connection of a set of outputs of a voltage source (10) i.e. adjustable direct current voltage source, and another voltage source. A test point is arranged between the diodes and connected with another connection for current supply to a plasma chamber. A third connection for current supply to the plasma chamber is connected with a fourth connection of another set of outputs of the voltage sources. A downstream electronic switch is synchronously controlled by a common controller. USE - Sputtering system i.e. magnetron plasma system, for a high power pulse magnetron sputtering application, high impact power impulse magnetron sputtering process, and plasma process e.g. plasma assisted chemical vapor deposition process, plasma nitrating, plasma corroding, pulsplating and atmospheric plasma process. ADVANTAGE - The system allows variable control of a system for obtaining differently formed plasmas, in a simple manner.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-86262.html