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Title
Werkstoff auf Siliciumnitrid-Basis, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
Date Issued
2006
Author(s)
Herrmann, M.
Bales, A.
Weise, B.
Räthel, J.
Patent No
102006059402
Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft einen Werkstoff auf Siliciumnitrid-Basis, der 40 bis 75 Vol-% von nadelfoermigem ?-Si?3?N?4.f wdarw. zusammen mit mindestens einem Sinteradditiv sowie 25 bis 60 Vol-% L-Si?3?N?4? mit einer mittleren Korngroesse im Bereich von 0,2 bis 3 ?m enthaelt. Ebenso betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung dieses Werkstoffs sowie dessen Verwendung. Aufgabe der vorliegenden Erfindung war es daher, einen keramischen Werkstoff bereitzustellen, der einerseits eine hohe Haerte und Bruchzaehigkeit aufweist, gleichzeitig aber auch eine hohe Waermeleitfaehigkeit zeigt. Erfindungsgemaess wird ein Pulvergemisch, das 40 bis 75 Vil-% feinkoerniges L-Si?3?N?4? und/oder ?-Si?3?N?4? zusammen mit mindestens einem Sinteradditiv und 25 bis 60 Vol-% grobkoernige Fraktion von L-Si?3?N?4? enthaelt, hergestellt. Danach wird eine Verdichtung unter Druck und bei Temperaturen oberhlb 1450?C durchgefuehrt, so dass die grobkoernige Fraktion im Wesentlichen als L-Si?3?N?4? erhalten bleibt.
DE 102006059402 A1 UPAB: 20080627 NOVELTY - Production of silicon nitride-based materials comprises preparing a powdered mixture of 40 - 70 vol% of fine grain alpha - and/or beta -Si3N4, a sintering additive and 25 - 60 vol% of large grain alpha -Si3N4. The mixture is compressed at a temperature above 1450degrees C so that the large grain fraction remains as alpha Si3N4. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for silicon nitride-based materials containing 40 - 75 vol% of acicular beta -Si3N4, at least one sintering additive which produces an amorphous or partially crystalline grain boundary phase, and 25 - 60 vol% of alpha -Si3N4 with an average grain size of 0.2 - 3 microns. USE - As a cutting material (claimed). ADVANTAGE - The materials have high hardness and fracture toughness and good thermal conductivity.
Language
de
Patenprio
DE 102006059402 A: 20061211