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Title
Unipolarer Quantenkaskaden-Laser hoher Effizienz
Date Issued
2007
Author(s)
Yang, Quankui
Patent No
102007002819
Abstract
(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft einen unipolaren Quantenkaskaden-Laser aus mehreren Halbleiter-Mehrschicht-Strukturen, die zwischen zwei Elektroden in periodischer Abfolge so hintereinander geschichtet sind, dass sich jeweils ein aktiver Bereich und ein Uebergangs- oder Injektionsbereich abwechseln. Die aktiven Bereiche weisen jeweils zumindest ein oberes und ein unteres Energieniveau fuer Elektronen auf, zwischen denen Licht emittierende Elektronenuebergaenge stattfinden. Die Uebergangs- oder Injektionsbereiche sind so ausgebildet, dass sie den Elektronentransport aus dem unteren Energieniveau des in Transportrichtung vorangehenden aktiven Bereiches in das obere Energieniveau des in Transportrichtung nachfolgenden aktiven Bereiches ermoeglichen. Die aktiven Bereiche umfassen bei diesem Laser zumindest eine quaternaere Materialschicht als Barriereschicht und sind so ausgebildet, dass die Licht emittierenden Elektronenuebergaenge zwischen benachbarten Quantentoepfen in Transportrichtung erfolgen, im Energiebandschema der Mehrschicht-Strukturen also nicht vertikal sondern diagonal.
WO 2008086789 A2 UPAB: 20080815 NOVELTY - The unipolar quantum cascade laser comprises semi-conductor multi-layered structures (C) that are layered one behind the other in a periodic sequence between two electrodes such that an alternance between an optical active area (A) and a transition or injection area (B) is created. The active areas respectively comprise an upper energy level and a lower energy level for the electrons between which electron transitions (T) emitting light take place. The active areas on laser comprise a quaternary material layer as a barrier layer. USE - Unipolar quantum cascade laser. ADVANTAGE - The active areas respectively comprise an upper energy level and a lower energy level for the electrons between which electron transitions emitting light take place and the active areas on laser comprise a quaternary material layer as a barrier layer, and hence ensures high efficiency for radiating electrons in transition state and also increases life span for the laser.
Language
de
Patenprio
DE 102007002819 A: 20070119