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Title
Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung duenner Siliciumnitridschichten auf Oberflaechen von kristallinen Silicium-Solarwafern
Date Issued
2006
Author(s)
Dresler, B.
Hopfe, V.
Dani, I.
Rosina, M.
Patent No
102006042327
Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ausbildung duenner Siliciumnitridschichten auf Oberflaechen von kristallinen Silicium-Solarwafern hergestellt werden koennen, die eine bestimmte Schichtwerkstoffausbildung mit gewuenschten Eigenschaften aufweisen. Die erfindungsgemaesse Vorrichtung ist dabei so ausgebildet, dass an einem Reaktionskammerbereich oberhalb einer zu beschichtenden Silicium-Solarwaferoberflaeche eine Zufuehrung fuer mindestens einen gasfoermigen Silicium enthaltenden Precursor vorhanden ist, der zur Schichtbildung beitraegt. Ausserdem ist eine elektromagnetische Strahlung emittierende Quelle, die eine Plasmaquelle ist, so angeordnet, dass mit der emittierten elektromagnetischen Strahlung eine photolytische Aktivierung von Atomen und/oder Molekuelen des/der Precursor(en) erfolgt. Die Plasmaquelle sollte dabei so angeordnet sein und soll auch so betrieben werden, dass kein unmittelbarer Einfluss des Plasmas auf die Silicium-Solarwaferoberflaeche und die zur Schichtausbildung fuehrenden Precursoren auftritt und ausschliesslich die emittierte elektromagnetische Strahlung wirkt.
WO 2008025353 A2 UPAB: 20080324 NOVELTY - The device has an inlet (9) for a precursor containing gaseous silicon at a reaction chamber region (11), above a silicon solar wafer surface to be coated. An electromagnetic radiation emitting source is arranged in such a manner that a photolytic activation of atoms and/or molecules of the precursor takes place using emitted electromagnetic radiation for forming a layer. The electromagnetic radiation source is a plasma source (2). DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a method for forming thin silicon nitride layers on surfaces of crystalline silicon solar wafers. USE - Device for forming silicon nitride layers on surfaces of crystalline silicon solar wafers. ADVANTAGE - The device is designed in such a manner that formation of thin silicon nitride layers on surfaces of crystalline silicon solar wafers exhibiting a defined layered-material formation having desired properties is facilitated. The plasma source is arranged and operated in such a way, that there is no direct influence of the plasma on the silicon solar wafer surface and on the precursors that lead to layer formation.
Language
de
Patenprio
DE 102006042327 A: 20060901