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Title
Verfahren zum selektiven plasmachemischen Trockenaetzen von auf Oberflaechen von Silicium-Wafern ausgebildetem Phosphorsilikatglas
Date Issued
2006
Author(s)
Hopfe, V.
Dani, I.
Patent No
102006042329
Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum selektiven plasmachemischen Trockenaetzen von auf Oberflaechen von Silicium-Wafern ausgebildetem Phosphorsilikatglas ((SiO2)xP2.fwd arw.O5)y). Es ist dabei Aufgabe der Erfindung, eine kostenguenstige, effektive, selektive und Herstellungsverluste zumindest reduzierende Moeglichkeit zu schaffen, mit der Phosphorsilikatglas von Silicium-Wafern entfernt werden kann. Bei der Erfindung wird so vorgegangen, dass kristalline Silicium-Wafer, deren Oberflaeche mit Phosphorsilikatglas versehen ist, selektiv plasmachemisch geaetzt werden. Dabei werden ein mit einer Plasmaquelle gebildetes Plasma und ein Aetzgas bei Atmosphaerendruck auf das Phosphorsilikatglas gerichtet, das so entfernt werden kann.
WO 2008025354 A2 UPAB: 20080324 NOVELTY - The method involves directing plasma formed by a plasma source and an etching gas at a phosphosilicate glass at atmospheric pressure. The etching gas is supplied to the plasma before impinging on the phosphor silicate glass. A gas mixture is utilized for plasma formation, in which the etching gas is contained, where the trifluoromethane and hexafluoroethane are utilized as etching gas. Oxygen and/or water vapor is added to the etching gas. USE - Method for selective plasma chemical dry-etching of phosphosilicate glass deposited on surfaces of silicon wafers. ADVANTAGE - The plasma formed by a plasma source and the etching gas are directed at the phosphosilicate glass at atmospheric pressure, such that the phosphosilicate glass can be removed from the silicon wafers, thus reducing the production losses.
Language
de
Patenprio
DE 102006042329 A: 20060901