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Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen und Verwendung

Partial metallization method for surface of semiconductor devices with aluminum, involves placing aluminum foil partially in direct contact with surface, and implementing partial connection of aluminum
 
: Grohe, A.; Nekarda, J.; Schultz, O.

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DE 102006044936 A: 20060922
DE 102006044936 A: 20060922
H01L0031
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen, bei denen Aluminium eingesetzt wird. Besonders bei Produkten, bei denen die Prozesskosten eine grosse Rolle spielen, wie z.B. Solarzellen auf Siliziumbasis, kann mit der Erfindung ein Kostenvorteil erreicht werden. Weiterhin betrifft vorliegende Erfindung die Verwendung des Verfahrens, beispielsweise bei der Herstellung von Solarzellen.

 

DE 102006044936 A1 UPAB: 20080421 NOVELTY - The method involves placing an aluminum foil partially in direct contact with the surface, and implementing a partial connection of the aluminum with the surface of the semiconductor device subsequently by the action of an energy. The application of aluminum foil takes place by press on, blowing and intake of the aluminum foil at the surface, and also by a fluid film arranged between the surface and the aluminum foil. USE - Partial metallization method for a surface of semiconductor devices with aluminum. Can also be used in metallization of solar cells, and as back contact on the solar cell (all claimed). ADVANTAGE - The method involves placing partially an aluminum foil in direct contact with the surface, and implementing a partial connection of the aluminum with the surface of the semiconductor device subsequently by the action of an energy, and hence ensures an economical and fast method for the coating of a surface of a semiconductor with aluminum at low process temperatures.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-75245.html