Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Schichten und/oder Kristallen aus Nitriden von Metallen der Gruppe III des PSE sowie entsprechende Einkristalle

Production of layers and/or crystals of group 3 metal nitrides using sublimation comprises producing the metal nitride from a source containing the metal nitride and depositing the metal nitride on a substrate and/or seed crystal
 
: Meissner, E.; Müller, G.; Friedrich, J.

:
Frontpage ()

DE 2006-102006048409 A: 20061012
DE 102006048409 A: 20061012
C23C0014
C30B0029
H01L0033
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

Abstract
(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Verfahren zur Herstellung von Kristallen oder kristallinen Schichten auf Fremd- oder arteigenen Substraten aus Nitriden von Metallen der Gruppe III des PSE durch ein Verdampfungsverfahren. Kristalle aus Galliumnitrid (GaN) werden zur Produktion von Bauelementen in der Optoelektronik und Hochfrequenztechnik eingesetzt.

 

DE 102006048409 A1 UPAB: 20080504 NOVELTY - Production of layers and/or crystals of group 3 metal nitrides using sublimation comprises producing the metal nitride from a source containing the metal nitride and/or from a source which produces the metal nitride from the metal and depositing the metal nitride on a substrate and/or seed crystal. During the deposition a flow field is produced for transporting the gaseous species from the source to the substrate. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: (1) Device for producing layers and/or crystals of group 3 metal nitrides using sublimation; and (2) Single crystal made from a metal of a group 3 metal nitride. USE - Production of layers and/or crystals of group 3 metal nitrides using sublimation used in the production of components in optoelectronics and high frequency technology (claimed). ADVANTAGE - The crystals or layers are quickly produced.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-75226.html