Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Nanoimprint Lithographie mit interferenzlithographisch hergestellten Stempeln

 
: Hauser, H.
: Müller, C.

:
Volltext urn:nbn:de:0011-n-750521 (1.7 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 1bed72702e8156fad13a51d2f320445f
Erstellt am: 13.6.2008


Freiburg/Brsg.: Fraunhofer ISE, 2007, 86 S.
Freiburg/Brsg., Univ., Dipl.-Arb., 2007
Deutsch
Diplomarbeit, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Effizienz von Solarzellen kann durch eine Texturierung der Oberfläche gesteigert werden. Die zu Grunde liegenden Effekte hierzu sind eine Reduktion der Reflektivität der Oberfläche und der Light Trapping Effekt. Bei multikristallinem Silizium muss für eine gezielte Texturierung eine Ätzmaske strukturiert werden. Diese Arbeit befasst sich mit einer alternativen Prozesskette zur Strukturierung eines Resists unter Verwendung der Nanoimprint Lithographie (NIL). Die entwickelte Prozesskette umfasst die Herstellung der Masterstrukturen, deren Replikation in Silikonwerkstoffe, die UV-NIL und die darauf folgenden Plasma-Ätzprozesse, um das Muster ins Silizium zu übertragen.
Im Rahmen der Herstellung der Masterstrukturen für die Stempel zur NIL wurde eine Variante der Interferenzlithographie untersucht. Diese basiert auf der Überlagerung von drei Strahlen und ermöglicht durch einen einstufigen Belichtungsprozess die Herstellung hexagonaler Strukturen. Bei diesem Verfahren resultieren zusätzliche Freiheitsgrade für die Interferenzlithographie aus den Polarisationen der Teilstrahlen.
Der in dieser Arbeit untersuchte UV-NIL Prozess wird unter Verwendung flexibler Silikonstempel und SU8 als Resistmaterial durchgeführt. Es wurden verschieden raue Substrate im Rahmen des NIL-Prozesses untersucht.
Die abschliessenden Ätzprozesse beinhalten das physikalische Sputterätzen, das Reaktive Ionenätzen von Silizium mit SF6 sowie das Sauerstoffplasma-Veraschen von Photoresist. Diese Ätzprozesse dienen der Übertragung der Struktur in das Silizium.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-75052.html