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Silizium-Aktivierung für das Tieftemperatur-Waferbonden mit Barrierenentladung

 
: Michel, B.; Eichler, M.; Klages, C.-P.

Blau, W. ; Europäische Forschungsgesellschaft Dünne Schichten e.V. -EFDS-:
Adhäsion und Oberflächenfunktionalisierung. 8. Wörlitzer Workshop Funktionelle Schichten 2007 : 13. Juni 2007 in Wörlitz/Sachsen-Anhalt; Tagungsband
Dresden: EFDS, 2007
8 Bl.
Wörlitzer Workshop Funktionelle Schichten <8, 2007, Wörlitz>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IST ()

Abstract
Der erfolgreiche Einsatz der Waferbondtechnologie ist aufgrund der Verschiedenheit der verwendeten Materialien auf möglichst geringe Annealing-Temperaturen unterhalb 400°C angewiesen. Zuverlässige Bondverbindungen können in diesem Temperaturbereich jedoch nur durch eine vorübergehende Aktivierung der Oberfläche erreicht werden.
Die Aktivierung mittels Atmosphärendruckplasma ist ein industriell erprobtes Verfahren, welches diverse herausragende Eigenschaften zu bieten hat:
1. Einfacher Aufbau, bestehend aus Generator, Elektrodensystem und Gasflussregelung.
2. Hoher Durchsatz durch Wegfall der Wartezeiten für das Schleusen und Abpumpen.
3. Möglichkeit lokaler Aktivierung der Oberfläche (z. B. von Bondstegen).
Neben dem klassischen Silizium-Waferbonden ist das Verfahren auch für das Bonden unterschiedlicher Materialien (z.B. Silizium/Germanium, Silizium/Pyrex o.ä.) anwendbar.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-66528.html