Options
Title
MEMS mit hohem Aspektverhältnis
Date Issued
2021
Author(s)
Patent No
102020201197
Abstract
Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur mit einer Kavität umfasst ein Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das ein Halbleitermaterial umfasst, ein Ausführen eines Ätzprozesses, um in dem Halbleitersubstrat eine Porenstruktur mit einer Vielzahl von Poren zu erzeugen; ein Oxidieren des Halbleitermaterials, so dass an Porenoberflächen der Vielzahl von Poren ein Halbleiteroxidmaterial entsteht, das benachbarte Poren der Porenstruktur verbindet; und ein Entfernern des Halbleiteroxidmaterials, so dass die benachbarten Poren miteinander verbunden werden, und so dass die Kavität in den verbundenen Poren entsteht.
Language
de
Patenprio
DE 102020201197 A1: 20200131