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Title
Deckelwafer, in der Mikrosystemtechnik einsetzbares Bauelement mit einem solchen Wafer sowie Loetverfahren zum Verbinden entsprechender Bauelement-Teile
Date Issued
2007
Author(s)
Oldsen, M.
Reinert, W.
Merz, P.
Patent No
102005053722
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Deckelwafer mit einem Kern (1) und einer Innenseite (7, 10, 11), wobei die Innenseite einen ringfoermigen Aussenbereich (7), einen sich an den Aussenbereich nach innen anschliessenden ringfoermigen Bereich (10) sowie einen Innenbereich (11) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest der Bereich (10) eine Pufferschicht aufweist, die einen Benetzungswinkel von < 35° fuer ein metallisches Eutektikum aufweist, das im Bereich von > 265°C und 450°C schmilzt. Ferner betrifft die Erfindung ein in der Mikrosystemtechnik einsetzbares Bauelement, das einen derartigen, mit Hilfe eines Lotmaterials angebrachten Deckelwafer aufweist, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
WO 2007054524 A1 UPAB: 20070903 NOVELTY - The wafer has an inner side with circular outer regions, circular regions (10) adjacent to the outer regions, and inner regions (11). The regions (10) have a buffer layer (6) that has wetting angle of less than 35 degree for a metallic eutectic e.g. gold-tin or gold-silicon eutectic, which melts in a range of greater than 265 and 450 degree Celsius. The layer is designed as circumferential continuous layer or in the form of radial inwardly pointing bars. The layer has a top layer made of precious metals e.g. gold, copper, silver, nickel and nickel alloys such as nickel/silver alloy. DETAILED DESCRIPTION - A layer is arranged in the top layer consisting of tungsten, titanium, chromium, metalloids, palladium, platinum and nickel alloy such as nickel-vanadium-alloy. INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: (1) a wafer component or a component utilized in a micro system engineering (2) a method for connecting wafer- or component-parts that are utilized in micro system engineering. USE - Used in a micro system engineering (claimed), for controlling wetting diffusion of waste molten bath during encapsulation of micro components on a wafer section. ADVANTAGE - The buffer layer of the circular regions has the wetting angle of less than 35 degree for the metallic eutectic e.g. gold-tin or gold-silicon eutectic, thus preventing the formation of droplets, and hence avoiding damages to active components during the soldering process. The utilization of the buffer layer increases manufacturing yield of the wafer and enables economic production of micro system engineering hermetically encapsulated components.
Language
de
Patenprio
DE 102005053722 A: 20051110