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Verfahren zum Materialabtrag an Festkoerpern und dessen Verwendung

Process to recover high-purity silicon material from laser etching in polycrystalline form
 
: Mayer, K.; Kray, D.; Kolbesen, B.O.

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DE 102006003608 A: 20060125
DE 2006-102006003608 A: 20060125
WO 2007-EP642 A: 20070125
DE 102006003608 A1: 20070906
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IWM ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Materialabtrag an Festkoerpern, insbesondere zum Mikrostrukturieren und Schneiden, mittels Fluessigkeitsstrahl-gefuehrtem Laseraetzen, wobei das abgetragene Material ebenso wie nicht-abreagierte Aetzkomponenten in hohem Umfang rezykliert werden. Auf diese Weise kann das Silicium in hoher Reinheit entweder polykristallin zurueckgewonnen werden oder in derselben Prozesskette epitaktisch auf anderen Substraten abgeschieden werden.

 

WO 2007085454 A1 UPAB: 20070919 NOVELTY - A combined laser/fluid etching process applied to high-purity silicon wafer material. The fluid contains a halogen agent and removes liberated high-purity silicon wafer material. In a process to recover the silicon, the fluid is distilled, condensed and recovered in polycrystalline form or by deposit on another substrate. In a final stage, halogens are driven from the recovered solids. USE - Process to recover high-purity silicon material from laser etching process. ADVANTAGE - The process avoids crystal damage in the high-value material. Further claimed is that the process increases the recovery rate in comparison with prior art.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-63949.html