Fraunhofer-Gesellschaft

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High brightness GaSb-based optically pumped semiconductor disk lasers at 2.3 µm

GaSb-basierte, optisch gepumpte Halbleiter-Scheibenlaser hoher Brillanz bei 2.3 µm Emissionswellenlänge
 
: Rattunde, M.; Schulz, N.; Ritzenthaler, C.; Rösener, B.; Manz, C.; Köhler, K.; Wörner, E.; Wagner, J.

:

Razeghi, M. ; Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers -SPIE-, Bellingham/Wash.:
Quantum sensing and nanophotonic devices IV : 22 - 25 January 2007, San Jose, California, USA
Bellingham, WA: SPIE, 2007 (SPIE Proceedings Series 6479)
ISBN: 978-0-8194-6592-4
Paper 647915
Conference "Quantum Sensing and Nanophotonic Devices" <4, 2007, San Jose/Calif.>
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IAF ()
semiconductor disc laser; Halbleiter-Scheibenlaser; infrared laser; Infrarot-Laser; VECSEL; OPSDL; optical pumping; optisches Pumpen; GaSb; 2 µm; modal gain; modaler Gewinn; resonance-gain offset; Differenz zwischen Gewinn- und Resonanzwellenlänge; high brightness; hohe Brillanz

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-63672.html