Fraunhofer-Gesellschaft

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Beyond SIC Power Devices and Technology - Novel High Temperature SIC CMOS 1 Micron Technology

Presentation held at 4th International Symposium on SiC Materials and Devices 2020, 26.11.2020, Busan, Republic of Korea
 
: Erlbacher, T.

:
Präsentation urn:nbn:de:0011-n-6245552 (1.6 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 3354e30fde23b9610870bff8346ab5cc
Erstellt am: 11.2.2021


2020, 36 Folien
International Symposium on SiC Materials and Devices <4, 2020, Busan>
Englisch
Vortrag, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-624555.html