Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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GaN HEMTs. The benefits of far higher voltages

 
: Krause, Sebastian

:
Volltext (PDF; - Gesamtes Heft)

Compound Semiconductor 26 (2020), Nr.4, S.44-48
ISSN: 1096-598X
Englisch
Zeitschriftenaufsatz, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Doubling the supply voltage of an RF GaN HEMT increases its power per die area and enables a substantial reduction in the size of very-high-power systems.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-624510.html