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Halbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung

Semiconductor substrate and production process with though connections for optical detectors and sensors has holes surrounded by insulator that narrow from front to rear of the substrate
 
: Drabe, C.; Wolter, A.; Bergmann, A.; Vogtmeier, G.; Dorscheid, R.; Steadman, R.

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DE 102005039068 A: 20050811
DE 2005-102005039068 A: 20050811
WO 2006-DE1450 A: 20060810
DE 102005039068 A1: 20070215
WO 2007016924 A1: 20070215
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IPMS ()

Abstract
Die Erfindung betrifft Halbleitersubstrate und Verfahren zur Herstellung solcher Halbleitersubstrate. Dabei ist es Aufgabe der Erfindung, Halbleitersubstrate zur Verfuegung zu stellen, die kostenguenstig herstellbar sind, mit denen eine hohe Anordnungsdichte sowie gute elektrische Leitfaehigkeit und geschlossene Oberflaechen erreichbar sind. Erfindungsgemaess ist die elektrisch leitende Verbindung von seiner Vorderseite durch das Substrat hindurch bis zur Rueckseite gefuehrt. Die elektrisch leitende Verbindung ist von aussen vollstaendig umschlossen. Der Isolator wird mit einer Durchbrechung gebildet, die mit einem Stoff ausgefuellt ist. Die Innenwandung ist mit einer dielektrischen Beschichtung versehen und/oder mit einem elektrisch isolierenden oder leitenden Stoff ausgefuellt. Die elektrisch leitende Verbindung ist mit einer weiteren Durchbrechung gebildet, die mit einem elektrisch leitenden Stoff ausgefuellt und im Inneren des Isolators angeordnet ist. Die Durchbrechungen sind mit absatzfreien orthogonal zur Vorderseite ausgerichteten bzw. sich kontinuierlich in Richtung auf die Rueckseite verjuengenden Innenwaenden ausgebildet.

 

DE 102005039068 A1 UPAB: 20070402 NOVELTY - A semiconductor substrate comprises electrical connections from front to rear completely surrounded by insulator and having a gap through the substrate filled with material and with an inner wall having a dielectric layer and/or filled with insulator or conductor. The connection comprises at least one further gap within the insulator and through the gap filled with conductor. Gaps (2,3) are orthogonal to the surface (1), interruption-free and have inner walls narrowing continuously from front to rear DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a production process for the above. USE - As electrical connections for a semiconductor substrate and production process for these (all claimed). ADVANTAGE - Packing density is high with good electrical connection and closed upper surfaces.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-60879.html