Fraunhofer-Gesellschaft

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Hochratige optische Empfänger für 80/160 Gbit/s

MultiTeraNet, Projekt HIGHREC, Abschlußbericht. Laufzeit: 1. Oktober 2002 - 30. September 2005
High-datarate optical receiver for 80/160 Gbit/s
 
: Bach, H.G.; Beling, A.; Ebert, W.; Eckhardt, T.; Gibis, R.; Kunkel, R.; Maul, B.; Mekonnen, G.G.; Sahin, G.; Schlaak, W. et al.
: Heinrich-Hertz-Institut für Nachrichtentechnik, Berlin

:
Volltext (PDF; )

Berlin: Fraunhofer HHI, 2006, 46 S.
Reportnr.: FKZ 01 BP 284
Deutsch
Bericht, Elektronische Publikation
Fraunhofer HHI ()
faseroptische Nachrichtenübertragung; Lichtempfänger; Übertragungsgeschwindigkeit; Bandbreite=Frequenz; Wanderwelle; Flip-Chip-Technologie; HEMT=High-Electron-Mobility-Transistor; Photodiode; Molekularstrahlepitaxie; elektronisches Bauelement; Forschungsprojekt

Abstract
Die Weiterentwicklung von wellenleiter-integrierten Photodetektoren für Bitraten von 80/100 Gbit/s und höher und die Steigerung der Bandbreite der Photoempfänger bei 160 Gbit/s unter Anwendung des monolithischen Integrationskonzepts einer wellenleiter-integrierten Photodiode mit einem elektrischen Wanderwellenverstärker auf InP-Basis im optischen Langwellenbereich um 1,55 Mikrometer stehen hier im Mittelpunkt der Betrachtungen. Dabei wird auch eine Weiterentwicklung der Modultechnik für 80 Gbit/s und höher und durch die Anwendung einer Chip-Board- Verbindungstechnologie in Form der Flip-Chip-Bond-Technik für Datenraten im 160 Gbit/s-Bereich vorgenommen. Unter Beibehaltung des pinTWA- Integrationskonzepts werden die vertikalen Schichtenfolgen der Bauelemente (Photodiode und HEMT) und auch deren laterale Designs optimiert. Für die höhere Bitratenstufe wird die Photodiode in einer micro-pin-Photodiodenform und die Wanderwellendetektorform innerhalb des Integrationskonzepts weiterentwickelt (Bandbreiten um 120 GHz) und mit einem optimierten Wanderwellenverstärker monolithisch integriert. Als Ergebnisse werden unter anderem ein Integrationskonzept für einen 160- Gbit/s-Empfänger und ein Technologiedemonstrator dafür beschrieben. Hervorzuheben ist die erzielte direkte optisch-elektrische Konversion für die Datenrate von 160 Gbit/s.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-60659.html

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