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Title
Ferroelektrische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle
Date Issued
2020
Author(s)
Patent No
102018212736
Abstract
Ferroelektrische Halbleitervorrichtung mit einer Speicherzelle, mit einer ferroelektrischen Speicherschicht und einer ersten leitfähigen Schicht, die an der ferroelektrischen Speicherschicht angeordnet ist; und einer Halbleitervorrichtung, die mit der Speicherzelle verbunden ist. Die ferroelektrische Speicherschicht der Speicherzelle kann einen Mischkristall mit einem Gruppe-Ill-Nitrid und einem nicht Gruppe-Ill-Element aufweisen.
The invention relates to a ferroelectric semiconductor device comprising: a memory cell having a ferroelectric memory layer and a first conductive layer arranged on the ferroelectric memory layer; and a semiconductor device connected to the memory cell. The ferroelectric memory layer of the memory cell can comprise a mixed crystal including a group-III nitride and a non-group-III element.
Language
de
Patenprio
DE 102018212736 A1: 20180731