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Ferroelektrische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle

Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell
 
: Wagner, Bernhard; Fichtner, Simon; Lofink, Fabian

:
Frontpage ()

DE 102018212736 A1: 20180731
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISIT ()

Abstract
Ferroelektrische Halbleitervorrichtung mit einer Speicherzelle, mit einer ferroelektrischen Speicherschicht und einer ersten leitfähigen Schicht, die an der ferroelektrischen Speicherschicht angeordnet ist; und einer Halbleitervorrichtung, die mit der Speicherzelle verbunden ist. Die ferroelektrische Speicherschicht der Speicherzelle kann einen Mischkristall mit einem Gruppe-Ill-Nitrid und einem nicht Gruppe-Ill-Element aufweisen.

 

The invention relates to a ferroelectric semiconductor device comprising: a memory cell having a ferroelectric memory layer and a first conductive layer arranged on the ferroelectric memory layer; and a semiconductor device connected to the memory cell. The ferroelectric memory layer of the memory cell can comprise a mixed crystal including a group-III nitride and a non-group-III element.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-586224.html