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Verfahren zum Bonden von zumindest einem Wafer und Substrat mit einem darauf befindlichen Wafer

 
: Gerrer, Thomas; Cimalla, Volker; Graff, Andreas; Simon-Najasek, Michél

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Frontpage ()

DE 102018210658 A1: 20180628
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden von zumindest einem Wafer (3) auf ein zweites Substrat (2), wobei der Wafer (3) zumindest ein Gruppe-III-Nitrid enthält oder daraus besteht und eine erste Seite (31) und eine gegenüberliegende zweite Seite (32) aufweist, wobei das zweite Substrat (2) mit einer ersten Seite (21) in Kontakt mit der zweiten Seite (32) des Wafers (3) gebracht wird, wobei eine Flüssigkeit (6) an die Kontaktfläche gebracht wird, welche Wasser und/oder Wasserstoffperoxid enthält oder daraus besteht und das zweite Substrat (2) mit dem Wafer (3) für eine vorgebbare Zeit auf eine Temperatur von etwa 50°C bis etwa 400°C erwärmt wird. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Substrat (2) mit einem darauf befindlichen Wafer (3), wobei der Wafer (3) zumindest ein Gruppe-III-Nitrid enthält oder daraus besteht und eine erste Seite (31) und eine gegenüberliegende zweite Seite (32) aufweist, wobei die zweite Seite (32) des Wafers (3) auf einer ersten Seite (21) des Substrates (2) angeordnet ist und zwischen dem Wafer (3) und dem Substrat (2) eine Kontaktschicht (4) vorhanden ist, welche AlOOH und/oder Al(OH)und/oder AlOenthält oder daraus besteht.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-586192.html