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Halbleiterbauelement, Verwendung eines Halbleiterbauelements

Semiconductor component, use of a semiconductor component
 
: Amirpour, Raul

:
Frontpage ()

DE 102017125162 A1: 20171026
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (21), insbesondere für einen Varaktor, umfassend zumindest eine erste Halbleiterschicht (22) und eine zweite Halbleiterschicht (23), wobei auf der der ersten Halbleiterschicht (22) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (23) mittelbar oder unmittelbar zumindest zwei gleichartige Oberflächenelektroden (33a, 33b) zur Ausbildung zweier antiseriell geschalteter Dioden angeordnet sind. Wesentlich ist, dass die Oberflächenelektroden (33a, 33b) derart zusammenwirkend angeordnet und ausgebildet sind, dass zumindest im Betriebszustand in der ersten Halbleiterschicht (22) eine Ladungsträgerzone (26) ausgebildet ist, welche die gemeinsame Gegen-Elektrode zu den Oberflächenelektroden (33a, 33b) bildet, und dass in einem Bereich der Ladungsträgerzone (26) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (23) mindestens ein Steuerkontakt (27) zur Steuerung des Potentials der Ladungsträgerzone (26) vorgesehen ist und die Ladungsträgerzone (26) zumindest im Betriebszustand derart ausgebildet ist, dass mittels der Ladungsträgerzone (26) eine durchgängige elektrische Verbindung von der der Gegenelektrode zu mindestens einem Steuerkontakt (27) besteht, und die Ladungsträgerzone (26) in einer Projektion auf eine Rückseite des Halbleiterbauelements über die Oberflächenelektroden (33a, 33b) hinausreichend ausgebildet ist. Weiter betrifft die Erfindung die Verwendung eines Halbleiterbaulements.

 

The invention relates to a semiconductor component (21), in particular for a varactor, comprising at least one first semiconductor layer (22) and a second semiconductor layer (23). At least two identical surface electrodes (33a, 33b) are arranged directly or indirectly on the second semiconductor layer (23) face facing away from the first semiconductor layer (22) in order to form two anti-serially connected diodes. It is essential to the invention that the surface electrodes (33a, 33b) are arranged and designed in an interacting manner such that a load carrier zone (26) which forms the common counter electrode for the surface electrodes (33a, 33b) is arranged in the first semiconductor layer (22) at least in the operating state, and at least one control contact (27) for controlling the potential of the load carrier zone (26) is provided in a region of the load carrier zone (26) on the second semiconductor layer (23) face facing away from the first semiconductor layer. The load carrier zone (26) is designed such that a continuous electric connection from the counter electrode to the at least one control contact (27) is produced by means of the load carrier zone (26) at least in the operating state, and the load carrier zone (26) is designed so as to protrude beyond the surface electrodes (33a, 33b) in a projection onto the rear face of the semiconductor component. The invention additionally relates to the use of the semiconductor component.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-585949.html