Fraunhofer-Gesellschaft

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2-stufiger Trockenätzprozess zur Texturierung kristalliner Siliziumscheiben

2-step dry-etching process for texturing crystalline silicon wafers
 
: Clochard, Laurent; Duffy, Edward; Hofmann, Marc; Jenek, Niko Armand; Kafle, Bishal; Saint-Cast, Pierre; Trogus, Daniel

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DE 102017219312 A1: 20171027
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Beschrieben wird ein Verfahren zum Ätzen von Siliziumwafern, umfassend die folgenden Schritte:(a) Vorbehandeln des Siliziumwafers mit einem HF-enthaltenden Gasgemisch und(b) Behandeln des nach Schritt a) erhaltenen Siliziumwafers mit einem F2-enthaltenden Gas, sowie ein geätzter Siliziumwafer, der nach diesem Verfahren erhältlich ist. Ferner wird die Verwendung eines HF-enthaltenden Gasgemisches zur Vorbehandlung von Siliziumwafern vor dem Ätzen angegeben. Schließlich werden ein geätzter Siliziumwafer und eine Solarzelle, die durch weitergehende Prozessierung des Siliziumwafers entsteht, beschrieben.

 

The invention relates to a method for etching silicon wafers, said method comprising the following steps: (a) pretreating the silicon wafer with an HF-containing gas mixture, and (b) treating the silicon wafer obtained in step a) with an F2-containing gas. The invention also relates to an etched silicon wafer that can be produced by said method. The invention further relates to an HF-containing gas mixture for pretreating silicon wafers before the etching process. Finally, the invention relates to an etched silicon wafer and to a solar cell produced by advanced processing of the silicon wafer.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-585947.html