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Strahlungssensor zur Detektion schwacher Strahlungssignale

 
: Erlbacher, Tobias; Matthus, Christian

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DE 102017207315 A1: 20170502
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Strahlungssensor, der als Bipolartransistor mit Kollektor, Basis und Emitter ausgebildet ist und einen vertikalen Schichtaufbau aus mehreren Halbleiterschichten aufweist, bei dem die Basisschicht über der den Kollektor oder den Emitter bildenden Halbleiterschicht angeordnet und der Emitter bzw. Kollektor lateral so strukturiert ist, dass er weniger als 60% der Fläche der Basisschicht aufweist. Bei dem vorgeschlagenen Strahlungssensor ist der Emitter oder Kollektor als Schottky-Kontakt ausgeführt oder als dotierter Halbleiterbereich in die Basisschicht integriert. Mit dem vorgeschlagenen Strahlungssensor lässt sich eine hohe Verstärkung mit dünner Basis bei gleichzeitig niedrigem Rauschen erreichen. Der Strahlungssensor wird vorzugsweise auf Basis von SiC als Halbleitermaterial ausgebildet und eignet sich damit für eine selektive Detektion von schwachem UV-Licht.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-585769.html