Fraunhofer-Gesellschaft

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Darstellung und Simulation von AlN/GaN-Übergitterstrukturen für elektronische Bauelemente

 
: Manz, Christian
: Bast, H.; Ambacher, Oliver; Fiederle, M.

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Volltext urn:nbn:de:0011-n-5776491 (14 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: b6b34c27c090e68727b62512c60fc7ef
Erstellt am: 12.2.2020

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2020, 82 S., XV
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2019
Science for systems, 46
ISBN: 978-3-8396-1566-9
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()
electronic devices & materials; condensed matter physics (liquid state & solid state physics); nanotechnology; Halbleiter, Transistoren, Epitaxie, Simulation, Übergitter; Physiker; Ingenieur

Abstract
Pufferschichten haben bei elektronischen Bauelementen eine spannungsreduzierende und eine isolierende Eigenschaft. In der vorliegenden Dissertation wurden Übergitter, bestehend aus kurzperiodischen AlN und GaN Schichten, als Pufferschichten realisiert. Hergestellt, charakterisiert und simuliert wurden zwei unterschiedliche Variationen in der Periode des Übergitters. Die Simulation erfolgte anhand von Kapazitäts-Spannungs-Messungen.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-577649.html