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Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant

 
: Gerrer, Thomas

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Volltext urn:nbn:de:0011-n-5726242 (36 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 951f26082cbdba9b57a68577caa0b066
Erstellt am: 22.1.2020

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2019, 136 S.
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2019
Science for systems, 45
ISBN: 978-3-8396-1524-9
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()
thermodynamics & heat; crystallography; Materialwissenschaftler

Abstract
Die vorliegende Dissertation beschreibt einen neuartigen Bondprozess von Aluminiumnitrid auf Diamant. An der Grenze der beiden Oberflächen wird ein dünner Wasserfilm mit AlN in ein thermomechanisch stabiles Aluminiumhydroxid umgewandelt. Die Ausbildung der 30nm dünnen Bondschicht erfolgt bei Temperaturen < 200 C und erzeugt vernachlässigbar kleine thermomechanische Verspannungen. Mit dieser Technologie werden AlGaN/GaN-Schottkydioden und -RF-Transistoren auf Diamant gebondet. Im Gegensatz zu anderen bisher entwickelten AlGaN/GaN-Diamant-Technologien wird keine zusätzliche Zwischenschicht eingebracht, um die Verbindung zu stabilisieren. Während der chemischen Umwandlung von AlN entstehen gelöste Hydroxide, welche bei einer Übersättigung kristallisieren und somit die Grenze zwischen den Oberflächen atomar dicht ausfüllen. Der Herstellungsprozess kann außerhalb des Reinraums durchgeführt werden, da durchgehend in Flüssigkeiten gearbeitet wird. Die Möglichkeit, trotz niedriger Prozesstemperaturen eine mechanisch feste, elektrisch isolierende und thermisch gute Bondschicht auszubilden, ist unter den bisher dokumentierten GaN-Diamant-Technologien einmalig.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-572624.html