Fraunhofer-Gesellschaft

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Low-resistance ohmic contact formation by laser annealing of N-implanted 4H-SiC

Poster presented at International Conference on Silicon Carbide & Related Materials, September 29th - October 04th, 2019, Kyoto, Japan
 
: Hellinger, Carsten; Rusch, Oleg; Rommel, Mathias; Bauer, Anton J.; Erlbacher, Tobias

:
Poster urn:nbn:de:0011-n-5657567 (540 KByte PDF)
MD5 Fingerprint: e591d2b23e23adeb0498edbaba24c43a
Erstellt am: 28.11.2019


2019, 1 Folie
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) <2019, Kyoto>
Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF (Deutschland)
16FMD01K
Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF (Deutschland)
16FMD02
Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Bundesministerium für Bildung und Forschung BMBF (Deutschland)
16FMD03
Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Englisch
Poster, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-565756.html