Fraunhofer-Gesellschaft

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Influence of Aluminum Compensation Effects in 4H-SiC on the Performance of VDMOS Transistors

Poster presented at 18th International Conference on Silicon Carbide & Related Materials, September 29th - October 04th, 2019, Kyoto, Japan
 
: Schlichting, Holger; Kocher, Matthias; Weiße, Julietta; Erlbacher, Tobias; Bauer, Anton J.

:
Poster urn:nbn:de:0011-n-5653462 (1.2 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: a52a16e3768886225e3bc68e81d8bcbd
Erstellt am: 19.11.2019


2019, 1 Folie
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) <2019, Kyoto>
Englisch
Poster, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-565346.html