Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Chemical vapor deposition of tantalum nitride films for metal gate application using TBTDET and novel single-source MOCVD precursors

 
: Lemberger, M.; Baunemann, A.; Bauer, A.J.

:

Microelectronics reliability 47 (2007), Nr.4-5, S.635-639
ISSN: 0026-2714
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IISB ()

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-55642.html