Fraunhofer-Gesellschaft

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An experimental study on HCI under various stress conditions

Presentation held at ITG MN 5.6 - Fachtagung fWLR: Wafer Level Reliability, Zuverlässigkeit-Simulation & Qualifikation; 27. Mai - 29. Mai 2019, Dresden
 
: Lange, André; Weddeler, Nicki; Wagner, Jakob; Bogacz, Steffen; Drehsig, Daniel

2019, 15 Folien
Informationstechnische Gesellschaft, Fachausschuss 5.6 MN (Fachtagung) <12, 2019, Dresden>
Englisch
Vortrag
Fraunhofer IIS, Institutsteil Entwurfsautomatisierung (EAS) ()
Anfrage beim Institut / Available on request from the institute bibliothek@eas.iis.fraunhofer.de

Abstract
An einer 350-nm-Technologie wurde eine messtechnische Studie zum Degradationsmechanismus "Hot Carrier Injection" (HCI) durchgeführt. In der Präsentation wurden das Vorgehen und die Ergebnisse dargestellt. Besonderer Fokus lag dabei auf Stressbedingungen, die über gültige Industriestandards hinaus gehen. Beispiele sind Variationen der Gate-Source-Spannung sowie nicht-konstante Stressbedingungen.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-552253.html