Fraunhofer-Gesellschaft

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Galvanical isolated microinverter with GaN transistors for photovoltaic modules

 
: Hensel, Andreas; Armbruster, Cornelius; Rouffaud, Gilles

Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-:
20th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2018, ECCE Europe : 17-21 September 2018, Riga, Latvia
Piscataway, NJ: IEEE, 2018
ISBN: 978-9-0758-1528-3
ISBN: 978-9-0758-1529-0
ISBN: 978-1-5386-4145-3
S.P.1-P.7
European Conference on Power Electronics and Applications (EPE) <20, 2018, Riga>
Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie BMWi
0325890A; HiGaN
Höchstintegrierter Modulwechselrichter mit GaN-Transistoren und eingebetteten induktiven und kapazitiven Bauelementen; Teilvorhaben: Entwicklung der Leistungselektronik für einen hochkompakten Modulwechselrichter mit GaN Transistoren
Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer ISE ()
gallium nitride (GaN); Modulwechselrichter; Microinverter; Wide-Band-Gap

Abstract
A microinverter with GaN transistors is presented in this work. It consists of two stages: a DC-DC-stage with HF galvanic isolation in combination with an inverter stage. High efficiency above 97.5 % is reached in all stages. The weight of the demonstrator developed is 492 gr at 675 cm³.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-519542.html