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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten. Galvanical isolated microinverter with GaN transistors for photovoltaic modules
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Volltext urn:nbn:de:0011-n-5195428 (3.4 MByte PDF) MD5 Fingerprint: 49a28f89b5969f57d788a6c39abd8e52 Erstellt am: 01.11.2019 |
| Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-:
20th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2018, ECCE Europe : 17-21 September 2018, Riga, Latvia
Piscataway, NJ: IEEE, 2018
ISBN: 978-9-0758-1528-3
ISBN: 978-9-0758-1529-0
ISBN: 978-1-5386-4145-3
S.P.1-P.7 |
| European Conference on Power Electronics and Applications (EPE) <20, 2018, Riga> |
| Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie BMWi
0325890A; HiGaN
Höchstintegrierter Modulwechselrichter mit GaN-Transistoren und eingebetteten induktiven und kapazitiven Bauelementen; Teilvorhaben: Entwicklung der Leistungselektronik für einen hochkompakten Modulwechselrichter mit GaN Transistoren |
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| Englisch |
| Konferenzbeitrag, Elektronische Publikation |
| Fraunhofer ISE () |
| gallium nitride (GaN); Modulwechselrichter; Microinverter; Wide-Band-Gap; Energiesystemtechnik; Leistungselektronik |
Abstract
A microinverter with GaN transistors is presented in this work. It consists of two stages: a DC-DC-stage with HF galvanic isolation in combination with an inverter stage. High efficiency above 97.5 % is reached in all stages. The weight of the demonstrator developed is 492 gr at 675 cm³.