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Verfahren zur Auslegung einer monolithisch integrierten, modengekoppelten Halbleiterlaser-Pulsquelle

Monolithically integrated, mode-coupled semiconductor laser pulse source designing method for e.g. measuring device, involves determining quantum layers with request of minimization of saturation performance by maximization of saturation
 
: Fidorra, S.; Heidrich, H.; Huettl, B.; Kaiser, R.; Kindel, C.; Rehbein, W.

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DE 102005017677 A: 20050411
DE 2005-102005017677 A: 20050411
DE 102005017677 B4: 20070719
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer HHI ()

Abstract
Die bekannte Pulsquelle mit Pulsbreiten kleiner 2 ps mit einem aus einer Anzahl nw Quantumwellschichten aufgebauten aktiven Wellenleiter mit einer saettigbaren Absorbersektion und einer Verstaerkersektion in Linearanordnung weist Amplitudenrauschen auf, da sich durch das Saettigungsverhalten des Verstaerkungskoeffizienten der Verstaerkersektion und die Anwesenheit des saettigbaren Absorbers Q-Switching der Modenkopplung ueberlagert. Mit dem erfindungsgemaessen Verfahren wird zur Amplitudenrauschunterdrueckung unter gleichzeitiger Erhaltung der vorteilhaften Pulseigenschaften eine Anzahl nw aus Anzahlen nws und nwv aus zwei Optimierungskriterien fuer das Verhalten der Halbleiter- Laserpulsquelle ausgewaehlt. Gemaess eines Optimierungskriteriums I wird die fuer eine maximale Saettigungsunabhaengigkeit des Verstaerkungsfaktors und damit Unterdrueckung des Q-Switching erforderliche minimale Anzahl nws von Quantenwellschichten ermittelt. Gemaess eines Optimierungskriteriums II wird dann fuer die fuer den Laserbetrieb erforderliche Verstaerkung und die dafuer erforderliche minimale Anzahl nwv von Quantenwellschichten ermittelt. Die optimale Anzahl nw wird dann auch unter Beruecksichtigung der Einflussstaerke der Optimierungskriterien auf das Verhalten der Halbleiter-Laserpulsquelle ausgewaehlt. Das Amplitudenrauschen kann so auf unter 1% gedrueckt werden.

 

DE 102005017677 A1 UPAB: 20061208 NOVELTY - The method involves selecting quantum well layers from two optimization criteria for the performance of semiconductor laser pulse source under the consideration of the influence strength of the optimization criteria on the performance of the laser pulse source. The well layers are determined with the request of a minimization of the saturation performance by a maximization of the saturation energy of an amplifier section. USE - Used for designing a monolithically integrated, mode-coupled semiconductor laser pulse source that is utilized in a communication-engineering system and a measuring system. ADVANTAGE - The method determines the quantum layers with the request of minimization of the saturation performance by the maximization of saturation energy of the amplifier section, thus minimizing the saturableness of the amplification coefficients of the amplifier section, and hence eliminating amplitude noises without affecting the good performance characteristics of the pulse source.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-51770.html