Fraunhofer-Gesellschaft

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Principle of lifetime-engineering in 4H-SiC by ion implantation

Poster presented at ECSCRM 2018, 12th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials, Birmingham, 2nd - 6th September 2018
 
: Erlekampf, Jürgen; Kallinger, Birgit; Berwian, Patrick; Rommel, Mathias; Friedrich, Jochen; Frey, Lothar; Erlbacher, Tobias

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Präsentation urn:nbn:de:0011-n-5153226 (1.3 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: fa17a296101c143f8044080deb7a4a70
Erstellt am: 24.10.2018


2018, 1 Folie
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) <12, 2018, Birmingham>
Englisch
Poster, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-515322.html