Fraunhofer-Gesellschaft

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Dose dependent profile deviation of implanted aluminum in 4H-SiC during high temperature annealing

Poster presented at 22nd International Conference on Ion Implantation Technology, September 16th - 21st, 2018, Würzburg
 
: Kocher, Matthias; Rommel, Mathias; Sledziewski, Tomasz; Häublein, Volker; Bauer, Anton

:
Poster urn:nbn:de:0011-n-5151317 (592 KByte PDF)
MD5 Fingerprint: 22de30fe02c8a1e2b6c19c0bf8370f09
Erstellt am: 12.10.2018


2018, 1 Folie
International Conference on Ion Implantation Technology (IIT) <22, 2018, Würzburg>
Englisch
Poster, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-515131.html