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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Electrical properties of schottky-diodes based on B doped diamond
 
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2018
Conference Paper
Title

Electrical properties of schottky-diodes based on B doped diamond

Abstract
Schottky diodes fabricated on free-standing B doped monocrystalline diamond substrate have been investigated. As expected, reverse leakage current due to Schottky barrier lowering has been observed due to the high electric field at the metal-semiconductor interface. Forward current is highest under operating temperatures between 400 and 450K due to incomplete ionization hole mobility dependence on temperature. It is demonstrated that the static device characteristics in the temperature range from 300K to 450K can be modelled by parametrizing an analytical introduced for unipolar SiC and Si diodes.
Author(s)
Erlbacher, T.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Huerner, A.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Zhu, Y.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Bach, L.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Schletz, A.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Zürbig, Verena
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Pinti, Lucas
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Kirste, Lutz  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Giese, Christian  
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Nebel, Christoph E.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Bauer, A.J.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Frey, L.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Mainwork
Silicon Carbide and Related Materials 2017  
Conference
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2017  
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.924.931
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)
  • device modelling

  • diamond device

  • ideality factor

  • monocrystalline diamond

  • Schottky Barrier Lowering

  • Schottky Diode

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