Fraunhofer-Gesellschaft

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Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid

 
: Kühnhold-Pospischil, Saskia
: Hofmann, Marc; Weber, Eicke R.; Zacharias, Margit

:
Volltext urn:nbn:de:0011-n-4904915 (5.9 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: e1cd91a64b3446063026d3ddc238c996
Erstellt am: 18.4.2018


Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2018, XXX, 167 S.
Zugl.: Freiburg, Univ., Diss., 2016
Solare Energie- und Systemforschung
ISBN: 978-3-8396-1253-8
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISE ()
condensed matter physics (liquid state & solid state physics); atomic & molecular physics; Angewandte Physik; Physik der kondensierten Materie; Atom- und Molekülphysik; Physik; Materialwissenschaft; Festkörperphysik; Photovoltaik; Halbleiterphysik

Abstract
Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/ Al2O3-Grenzfläche beiträgt.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-490491.html