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Verfahren zur Erhoehung des Umsatzes von Gruppe-III-Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze

Method to increase the conversion of group III metals to group III nitrides in a fused metal containing group III elements comprises introducing nitrogen into the fused metal and adding a solvent adjuvant into the fused metal.
 

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DE 2004-102004048453 A: 20041005
DE 2004-102004048453 A: 20041005
DE 102004048453 A1: 20060420
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erhoehung des Umsatzes von Gruppe-III-Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze unter Stickstoffeintrag in die Gruppe-III-haltige Metallschmelze bei Temperaturen ? 1100°C und bei Druecken unter 1 x 108 Pa, wobei der Gruppe-III-haltigen Metallschmelze ein Loesungsmittelzusatz, der zumindest ein Element der folgenden Elemente C, Si, Ge, Fe und/oder zumindest ein Element der seltenen Erden oder eine Legierung oder eine Verbindung dieser Elemente, insbesondere ihrer Nitride, zugegeben wird.

 

WO2006037311 A UPAB: 20060502 NOVELTY - Method to increase the conversion of group III metals to group III nitrides in a fused metal containing group III elements comprises introducing nitrogen into the fused metal at greater than or equal to 1100 deg. C and below 1x108 Pa and adding a solvent adjuvant into the fused metal (carbon (C), silicon (Si), germanium (Ge), iron (Fe) and/or at least one element of rare earth metals or alloys or their compounds (preferably nitrides)). DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a crystal layer or volume crystal of iso-structural group III-nitride (with a transfer density of less than or equal to 108 cm-2) comprising an element (C, Si, Ge, Fe and/or rare earth metals). USE - The method is useful in the production of crystal layers or volume crystals from iso-structural group III-nitride or mixtures of different group of III-nitrides through precipitation of fused metal containing group III (claimed). The method is used in semiconductor technology, optoelectronics and high-frequency engineering for the production of semiconductor components. ADVANTAGE - The method increased the conversion of group III metals to group III nitrides in a fused metal containing group III elements (claimed).

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-46058.html