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Title
Verfahren zur Herstellung einer hochtemperaturfesten Verbindung zwischen zwei Wafern
Date Issued
2002
Author(s)
Kroener, F.
Fischer, K.
Frey, L.
Patent No
2000-10055763
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer hochtemperaturfesten und wiederabloesbaren Verbindung zwischen zwei Wafern, wobei auf zumindest einem Wafer eine Fluessigschicht aus Alkoholen und polymerisierten sowie teilweise durch organische Reste (R) substituierten Kieselsaeuremolekuelen ausgebildet wird. Auf Grund dieses verwendeten Materials erhaelt man auch bei Verwendung von Hochtemperaturprozessen eine kontaminationsfreie und mechanisch stabile wiederabloesbare Verbindung zwischen zwei Wafern.
DE 10055763 A UPAB: 20020802 NOVELTY - Production of a high temperature resistant joint between wafers comprises forming a liquid layer of alcohols and polymerized silicic acid molecules partially substituted by organic residues on a wafer; partially vaporizing the alcohols to form a semi-solid sticky layer; joining the two wafers; and heat treating at at least 300 deg. C. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The liquid layer is formed by centrifuging a liquid film having a thickness of 10 microns . Both wafers are subjected to uniform pressure when joined, preferably at least 1000 Pa. One of the surfaces of the wafers is made from silicon nitride or silicon dioxide. The wafers are made from silicon carbide, polysilicon or ceramic. USE - Used in the production of semiconductor elements, especially switching elements. ADVANTAGE - The joint has good electrical properties.
Language
de
Institute
Patenprio
DE 2000-10055763 A: 20001110