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Coating device has cathode chamber and substrate chamber each having direct suction outlet and a gas feed.
| DE 2002-10216671 A: 20020415 |
| DE 2002-10216671 A: 20020415 EP 2003-746233 AW: 20030411 WO 2003-DE1216 A: 20030411 |
| DE 10216671 A1: 20031218 EP 1495152 A1: 20050112 |
| C23C0014 C23C0014 |
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| Deutsch |
| Patent, Elektronische Publikation |
| Fraunhofer IST () |
AbstractBei einer Beschichtungsanlage ist ein Rezipient (1) durch eine Blende (2) in einen Kathodenraum (3) und einen Substratraum (4) unterteilt. Sowohl der Kathodenraum (3) als auch der Substratraum (4) weisen eine unmittelbare Absaugung (10, 16) und jeweils eine eigene Gaszufuehrung (8, 14) auf. Die Gaszufuehrung (8) in den Kathodenraum (3) ist mit einer Prozessgasquelle (9) und die Gaszufuehrung (14) fuer den Substratraum (4) mit einer Reaktivgasquelle (15) verbunden.
WO2003087426 A UPAB: 20031120 NOVELTY - A coating device has a cathode chamber (3) and a substrate chamber (4) each having a direct suction outlet (10, 16) and a gas feed (8, 14). The gas feed (8) into the cathode chamber is connected to a process gas source (9) and the gas feed (14) for the substrate chamber is connected to a reactive gas source (15). USE - Used for coating processes. ADVANTAGE - Complete reaction of the layer to be formed is achieved without the target surface reacting with the reactive gas in an unwanted manner.