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Vorrichtung zur plasmachemischen Abscheidung von polykristallinem Diamant

Apparatus for plasma-chemical deposition of polycrystalline diamond - comprising vacuum chamber containing devices to move substrate through microwave plasma and hot wire sources..
 
: Liehr, M.; Klages, C.; Braeuer, G.

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DE 1996-19631407 A: 19960805
DE 1996-19631407 A: 19960805
EP 1997-111945 A: 19970714
DE 19631407 B4: 20060504
EP 823493 A1: 19980211
C23C0016
C23C0016
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IST ()

Abstract
Bei einer Vorrichtung zur plasmatechnischen Abscheidung von polykristallinem Diamant auf grossflaechigen plattenfoermigen Substraten (3), mit einer Vakuumkammer (4), mit Schleusen zum Ein- und Ausschleusen der Substrate, mit einer in der Kammer (4) angeordneten Einrichtung zum Foerdern der Substrate (3) durch mindestens eine, vorzugsweise aber zwei Behandlungsstationen und mit eine erste Gruppe bildenden, oberhalb der Substratebene vorgesehenen Heissdrahtquellen (5, 5', ...) und mit eine zweite Gruppe bildenden Mikrowellenplasmaquellen (8, 8', ...) und mit einer unterhalb der Substratebene angeordneten, mit Radiofrequenz gespeisten Elektrode (11) zur Erzeugung einer Vorspannung und mit in die Vakuumkammer (4) einmuendenden Gaszuleitungsrohren (6, 9) erstrecken sich die als Linienquellen ausgebildeten Heissdrahtanordnungen (5, 5', ...) quer zur Substrattransportrichtung (A) und bilden eine erste Beschichtungszone (Z<1<), wobei mit Abstand und parallel zu den Heissdrahtquellen (5, 5', ...) die Mikrowellenplasmaquellen (8, 8', ...) in einer Reihe angeordnet sind und zusammen eine zweite Beschichtungszone (Z<2<) bilden.

 

EP 823493 A UPAB: 19980316 Appts. comprises a: vacuum chamber (4); locks for transferring the substrate; an appts. in the vacuum chamber for conveying the substrate through one but pref. two treatment stations; microwave plasma sources (8,8') forming a 2nd group and hot wire sources (5,5') forming a 1st group above the substrate surface; electrode (11) having radio frequency arranged below the substrate surface to produce a polarising potential; and gas feed pipes (6,9) protruding into the vacuum chamber (4). The hot wire arrangement (5,5') extends across the substrate transporting direction (A) and a 1st coating zone (Z') is formed. The microwave plasma sources (8,8') are arranged in series at a distance parallel to the hot wire sources (5,5') and together form a 2nd coating zone (Z2). USE - For plasma-chemical deposition of polycrystalline diamond. ADVANTAGE - The apparatus can be used on a large scale.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-44483.html