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Title
Verfahren zur raeumlichen Durchdringung oder Benetzung einer porenhaltigen nichtleitenden Struktur mit einem Elektronen oder Loecher leitendem Kunststoff sowie Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer photovolatischen Feststoff-Zelle
Date Issued
2001
Author(s)
Lorenz, M.
Zastrow, A.
Patent No
1999-19927981
Abstract
Beschrieben wird ein Verfahren zur raeumlichen Durchdringung oder Benetzung einer porenhaltigen nichtleitenden oder halbleitenden Struktur mit einem Elektronen oder Loecher leitenden Kunststoff. Ferner wird eine photovoltaische Feststoff-Zelle beschrieben, die mit dem Verfahren herstellbar ist. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass der Kunststoff in monomerer Form in einem Loesungsmittel unter Zugabe eines Oxidationsmittels geloest als Monomerloesung vorliegt und auf die porenhaltige Struktur aufgetragen wird, und dass nach Durchdringen der Monomerloesung durch die porenhaltige Struktur das Loesungsmittel verdampft und der monomere Kunststoff polymerisiert.
DE 19927981 A UPAB: 20010425 NOVELTY - Process for spatial permeation or wetting of a porous, insulating or semiconductor structure with an electron- or hole-conducting synthetic resin material comprises using a solution of the corresponding monomer in a solvent containing an added oxidant, applying this to the porous structure, evaporating the solvent after the solution has penetrated the structure and polymerizing the monomer. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for photovoltaic solid state cells with a structure produced in this way between 2 electrode films. USE - The process is used in the production of photovoltaic solid state cells ADVANTAGE - The method present makes it possible to adjust the electrical conductivity of porous, electrically insulating or semiconducting materials throughout their entire volume, without significantly changing their porosity.
Language
de
Patenprio
DE 1999-19927981 A: 19990618