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Title
Photochemisch und/oder thermisch strukturierbare Harze auf Silanbasis, einstufiges Verfahren zu deren Herstellung, dabei einzetzbare Ausgangsverbindungen und Herstellungsverfahren fuer diese
Date Issued
2003
Author(s)
Froehlich, L.
Jacob, S.
Popall, M.
Houbertz-Krauss, R.
Patent No
2001-10148894
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein photochemisch und/oder thermisch strukturierbares Silanharz, erhaeltlich durch Hydrolyse und Kondensation einer Mischung, enthaltend oder bestehend aus (a) mindestens einer Silanverbindung mit der allgemeinen Formel RaSiX4-a, worin R ggf. gleich oder verschieden sein kann und eine geradkettige, verzweigte oder cyclische, gegebenenfalls substituierte C1-C12-Alkylgruppe oder eine photochemisch und/oder thermisch ueber einen organischen Rest polymerisierbare Gruppe ist, X gleich oder verschieden sein kann und eine in Gegenwart von OH-Gruppen hydrolisierbare Gruppe ist und a 1 oder 2 bedeutet und (b) mindestens einem Silandiol der allgemeinen Formel R12Si(OH)2, worin R1 gleich oder verschieden sein kann und eine geradkettige, verzweigte oder cyclische, gegebenenfalls substituierte C1-C12-Alkylgruppe oder eine photochemisch und/oder thermisch ueber einen organischen Rest polymerisierbare Gruppe mit Ausnahme einer solchen ist, die einen Arylrest enthaelt, mit der Massgabe, dass zumindest eine der Verbindungen mit der Formel (I) oder der Formel (II) mindestens eine organisch polymerisierbare Gruppe enthaelt. Das Harz wird in geeigneter Weise zumindest teilweise in Gegenwart eines im Wesentlichen wasserfreien Loesungs- oder Suspensionsmittels hydrolysiert und anschliessend zumindest teilkondensiert. Ausserdem betrifft die Erfindung ein neues Herstellungsverfahren fuer die hierbei verwendbaren Silandiole sowie neue Verbindungen ...
WO2003031499 A UPAB: 20030910 NOVELTY - Photochemically- and/or thermally-structurable silane resins are obtained by condensation of a mixture of: (a) alkylsilanes with polymerizable organic group(s) and leaving group(s); and (b) silanediols with alkyl groups and/or polymerizable groups other than those containing aryl residues. DETAILED DESCRIPTION - Photochemically- and/or thermally-structurable silane resins (SR) are obtained by at least partial condensation of a mixture containing: (a) silane compound(s) of formula (I); and (b) silanediol(s) of formula (II). R = a group which undergoes photochemically- and/or thermally-induced radical or cationic polymerization of an organic residue; R2 = optionally substituted, linear, branched or cyclic 1-12C alkyl; X = a leaving group; a = 1 or 2; b = 0 or 1; (a+b) = not more than 2; and R1 = as for R2, or a polymerizable group (as defined for R) other than a group containing an aryl residue. INDEPENDENT CLAIMS are also included for (1) a method for the production of (SR) by condensation of a mixture of (I) and (II) in the presence of an essentially anhydrous solvent or suspension agent; (2) at least partly condensed and polymerized hybrid polymers obtained from SR; (3) a method for the production of (II) by controlled hydrolysis of the corresponding di-(1-6C alkoxy)-silanes, especially the dimethoxy, diethoxy, di-(n- or iso-propoxy) or di-isobutoxy compounds; (4) a method for the production of (II) by controlled hydrolysis of the corresponding difluoro-, dichloro- or dibromo-silanes in the presence of a stoichiometric amount of trialkylamine; (5) silanediols (II) with defined values of R2. USE - For the production of optionally structured, at least partly condensed and polymerized (via organic groups) hybrid polymers (claimed). Applications include multi-layer systems in high-frequency sequential build-up techniques, multi-layer thin-film circuits, photoresists and insulating materials for micro systems. ADVANTAGE - Structurable silane resins with a dielectric constant of less than 3 and a dielectric loss factor of less than 0.005 in the high-frequency range (particularly 10-100 GHz), combined with thermal, mechanical and adhesion properties superior to those of pure organic materials as used for HF applications.
Language
de
Patenprio
DE 2001-10148894 A: 20011004