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Zinkoxid-Schicht und Verfahren zu dessen Herstellung

Production of doped and undoped zinc oxide layers used in the production of microsystems comprises growing a low energy surface of a layer crystal surface parallel to the geometry of the substrate to form the zinc oxide layers.
 
: Xin, J.; Szyszka, B.; Chunlin, J.

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DE 2001-10155712 A: 20011109
DE 2001-10155712 A: 20011109
WO 2002-EP12589 A: 20021111
DE 10155712 A1: 20030528
C30B0025
C23C0014
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IST ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine dotierte oder undotierte Zinkoxid-Schicht (9a, 9b, 9c) sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben durch Gasphasenabscheidung auf ein Substrat (10a, 10b, 10c). Eine der Flaechen (Atomebene), welche die geringste Oberflaechenenergie hat, wird oberflaechenparallel zur Geometrie des Substrates wachsen, wenn das Substrat eine hoehere Oberflaechenenergie als ZnO (0001) Kristallflaeche aufweist und/oder wenn man die Prozessparameter so einstellt, dass ein 2-D-laterales Schichtwachstum realisiert werden kann.

 

WO2003040426 A UPAB: 20030703 NOVELTY - Production of doped and undoped zinc oxide layers comprises growing a low energy surface of a layer crystal surface parallel to the geometry of the substrate to form the zinc oxide layers, so that the layer structure is produced by geometrically structuring the substrate. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The substrate has a higher surface energy than the low energy surface of the zinc oxide (0001) crystal surface and/or the process parameters are adjusted so that a two dimensional layer growth is produced. The substrate is a crystalline solid, preferably made from glass, quartz or thermally oxidized silicon and/or polymer/plastic. The deposition is carried out by physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD). USE - Used in the production of microsystems, e.g. as a surface acoustic wave (SAW) signal filter in mobile telephones (claimed). ADVANTAGE - The process is economical.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-44137.html