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Title
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
Date Issued
2003
Author(s)
Patent No
2000-10046170
Abstract
Beschrieben wird ein Verfahren zur elektrischen Kontaktierung einer, mit wenigstens einer passivierenden, dielektrischen Schicht (12) ueberzogenen Halbleiteroberflaeche (13). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Metallschicht (11) auf die dielektrische Schicht (12) aufgebracht wird und mittels einer Strahlungsquelle (9) diese Metallschicht (11) kurzzeitig lokal punkt- oder linienfoermig erhitzt wird, so dass sich eine Schmelzmischung aus Metallschicht (11), dielektrischer Schicht (12) und dem Halbleiter (13) bildet, die nach dem Erstarren einen guten elektrischen Kontakt zwischen dem Halbleiter (13) und der Metallschicht (11) bildet.
WO 200225742 A UPAB: 20020711 NOVELTY - The method involves applying a metal coating to the dielectric layer and heating the metal coating temporarily at a point or line under monitoring to form a local molten mixture of only the metal coating, the dielectric layer and the semiconducting layer immediately beneath the dielectric layer. The molten mixture causes a contact between the semiconducting layer and the metal coating after solidification. USE - For producing a semiconductor-metal contact through a dielectric layer, especially for contacting the base layer of a solar cell. ADVANTAGE - Developed to overcomes certain disadvantages of conventional arrangements, especially to enable manufacture of powerful solar cells on an industrial scale.
Language
de
Patenprio
DE 2000-10046170 A: 20000919