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Beschleunigte Zuverlässigkeitsuntersuchung von Siliziumnitrid bei schmalbandiger UV-Bestrahlung

Accelerated reliability test of silicon nitride under UV illumination
 
: Schmidt, Andrei; Dreiner, Stefan; Vogt, Holger; Paschen, Uwe

Saile, Volker (Chairman) ; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-:
MEMS, Mikroelemente, Systeme. Proceedings CD-ROM : MikroSystemTechnik Kongress 2015, 26. - 28. Oktober 2015 in Karlsruhe
Berlin: VDE-Verlag, 2015
ISBN: 978-3-8007-4100-7
S.753-756
MikroSystemTechnik Kongress <6, 2015, Karlsruhe>
Deutsch, Englisch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IMS ()
Passivierung; Siliziumnitrid; Ultraviolett; Zuverlässigkeit

Abstract
Es wird ein Verfahren für eine beschleunigte optische Zuverlässigkeits-Untersuchung an Siliziumnitrid (SiN) vorgestellt. Dazu wurde ultraviolette (UV) Strahlung eines Lasers (248 nm) sowie einer Leuchtdiode (LED, 285 nm) verwendet. Bei einer konstanten Energie-Dosis wurden die Laser-Strahlungsleistung und -Frequenz variiert. Die Transmission des SiN und die Quanteneffizienz (QE) von Photodioden mit SiN-Passivierung wurden vor und nach Bestrahlung untersucht. Die Untersuchung hat gezeigt, dass UV-Bestrahlung die Photodioden schädigt und deren QE verringert. Im Fall der LED ist keine signifikante Veränderung der Transmission vom SiN festzustellen. Die Bestrahlung durch den Laser führt zu einer erhöhten Transmission des SiN im Bereich der Bestrahlungs-Wellenlänge. Die Laser-Bestrahlung beeinflusst die Transmission thermisch und optisch. Folglich muss die Laser-Strahlungsleistung angepasst werden, um den rein optischen Einfluss isoliert betrachten zu können.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-364364.html