Fraunhofer-Gesellschaft

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Ortsselektive Atmosphärendruck-Plasmavorbehandlung für das Direkt-Wafer-Bonden bei niedrigen Temperaturen

 
: Eichler, M.; Thomas, M.; Mewes, H.; Klages, C.-P.

Zengerle, R. ; Bundesministerium für Bildung und Forschung -BMBF-; Verband der Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik -VDE-; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-:
Mikrosystemtechnik Kongress 2005 : 10. bis 12. Oktober 2005 in Freiburg
Berlin: VDE-Verlag, 2005
ISBN: 3-8007-2926-1
ISBN: 978-3-8007-2926-5
S.115-118
Mikrosystemtechnik Kongress <2005, Freiburg>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IST ()

Abstract
In diesem Beitrag wird die Weiterentwicklung der dielektrischen Barrierenentladung zur Vorbehandlung von Wafern für das anschließende Bonden vorgestellt. Durch die beschriebenen Verfahren zur lokalen Behandlung von Siliziumwafern können ortsselektiv unterschiedliche Oberflächeneigenschaften erzielt werden, um damit z. B. die Bondfestigkeit lokal zu erhöhen.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-35690.html