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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit einer aluminiumhaltigen Aktivschicht und mit dem Verfahren hergestellter Halbleiterlaser mit Rippenwellenleiter

Semiconductor laser is formed by applying a mask onto an aluminium-free semiconductor substrate, etching, and epitaxially growing layers.
 
: Moehrle, M.; Sigmund, A.; Reier, F.

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DE 102004010260 A: 20040303
DE 2004-102004010260 A: 20040303
DE 102004010260 A1: 20050922
H01S0005
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer HHI ()

Abstract
Halbleiterlaser mit einem Rippenwellenleiter und einer aluminiumhaltigen Aktivschicht koennen nur mit einer aufwaendigen Beschichtung ihrer Endfacetten betrieben werden. Ansonsten kommt es im Betrieb zu einer fortschreitenden Oxidation und Zerstoerung der freiliegenden aluminiumhaltigen Schichten an den Endfacetten aufgrund von Ueberhitzung durch Absorption ("Katastrophenzerstoerung"). Der vorgeschlagene Halbleiterlaser (HLL) mit Rippenwellenleiter (RWL) weist daher in den Endfacetten (EF) keine aluminiumhaltige Aktivschicht (AS) auf. Im Bereich der Aktivschicht (AS) sind aluminiumfreie Mesastege (MES) angeordnet. Damit die Endfacetten (EF) auch nicht elektrisch gepumpt werden, ueberdeckt die Kontaktmetallisierung (KM) die Mesastege (MES) nicht. Dieser Aufbau kann erfindungsgemaess durch eine maskenbasierte, aetztechnische Erzeugung von Mesastegen (MES) in einem aluminiumfreien Halbleitersubstrat (HSL), zwischen denen die Aktivschicht (AS) und eine aluminiumfreie Zwischenschicht (ZS) anschliessend selektiv epitaktisch aufgewachsen wird, hergestellt werden. Nach Fertigstellung des Schichtenbaufbaus (SA) werden dann die lateral gespaltenen Laserbarren (LB) transversal im Bereich der Mesastege (MES) gespalten (Pfeile). Die aluminiumhaltige Aktivschicht (AS) kommt somit zu keinem Zeitpunkt mit der Umgebungsluft in Beruehrung, sodass keine Degradationsprobleme auftreten.

 

DE1004010260 A UPAB: 20051027 NOVELTY - A process for producing a semiconductor laser with an aluminium active layer, comprises applying a mask (MA) onto an aluminium-free semiconductor substrate (HLS), etching slats in the substrate, epitaxially growing the aluminium active layer, removing the mask and epitaxially growing further aluminium free semiconductor layers. Ribbed wave conductors are etched along predefined laser paths, and an insulation layer is applied along with contact layers and metalized sections. The processed layer structure is split laterally and then in a transverse manner. USE - The process is used to produce a semiconductor laser. ADVANTAGE - The process is simple and economical.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-35485.html