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Erzeugung von mechanischen und elektrischen Verbindungen zwischen den Oberflaechen zweier Substrate

Forming a mechanical and electrical connection between two substrates comprises preparing substrates with a metallic layer and a layer of amorphous semiconductor material, joining the semiconductor layers and heating.
 
: Hacker, E.

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DE 102004015017 A: 20040326
DE 2004-102004015017 A: 20040326
DE 102004015017 A1: 20051020
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Ein Verfahren zur Herstellung einer mechanischen und elektrischen Verbindung zwischen zwei Substraten umfasst zunaechst den Schritt des Bereitstellens der Substrate mit einer metallischen Schicht auf einer Oberflaeche von jedem der Substrate und einer Schicht aus amorphem Halbleitermaterial auf den metallischen Schichten. Die Halbleitermaterialschichten werden mechanisch aneinandergefuegt, woraufhin die metallischen Schichten und die amorphen Halbleitermaterialschichten erwaermt werden, so dass zwischen den metallischen Schichten und den Halbleitermaterialschichten eine Diffusion zur Erzeugung einer Legierung stattfindet.

 

DE1004015017 A UPAB: 20051125 NOVELTY - Forming a mechanical and electrical connection between two substrates (10) comprises preparing substrates with a metallic layer (16) and a layer of amorphous semiconductor material (18), joining the semiconductor material layers and heating the metallic layers and the semiconductor material layers so that diffusion between the layers occurs to form an alloy. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The metallic layer is made from aluminum and the amorphous semiconductor material layer is made from silicon. Joining of the layers takes place at 350 deg. C. The substrates are chips and/or wafers. USE - For forming a mechanical and electrical connection between two substrates. ADVANTAGE - The process is simple.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-35458.html