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Title
Mikromechanisches HF-Schaltelement sowie Verfahren zur Herstellung
Date Issued
2005
Author(s)
Lisec, T.
Huth, C.
Patent No
102004026654
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikromechanisches HF-Schaltelement, bei dem ein freistehendes bewegliches Element so ueber einer metallischen Flaeche auf einem Substrat angeordnet ist, dass es durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen der metallischen Flaeche und dem beweglichen Element zur metallischen Flaeche gezogen wird, auf der eine dielektrische Schicht aufgebracht ist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung derartiger mikromechanischer HF-Schaltelemente, bei dem die dielektrische Schicht auf der metallischen Flaeche abgeschieden wird. Das vorliegende Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass als dielektrische Schicht eine piezoelektrische AlN-Schicht mit einer kolumnaren, polykristallinen Struktur und einer Textur auf der metallischen Flaeche abgeschieden wird. Mit dem vorliegenden Verfahren sowie dem damit hergestellten HF-Schaltelement werden ein deutlich verringertes Charging des Dielektrikums und eine erhoehte Langzeitstabilitaet des Schaltelements erreicht.
WO2005119831 A UPAB: 20060120 NOVELTY - A micromechanical HF (High Frequency) capacitive switch manufacturing procedure sputters a piezoelectric AlN dielectric layer (3) with columnar polycrystalline structure and texture on the Platinum metallic surface (2) of the substrate (1) DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are included for switches made using the procedure. USE - Micromechanical switch manufacturing procedure for high frequency circuits. ADVANTAGE - Reduced dielectric charging and increased long term stability. Does not require the switching voltage polarity to be changed for each operation.
Language
de
Patenprio
DE 102004026654 A: 20040601