Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Herstellung und Charakterisierung von InGaN/GaN Heterostrukturen für kurzwellige Emitter

 
: Ramakrishnan, A.

Freiburg im Brsg., 1999, 111 S.
Freiburg/Brsg., Univ., Dipl.-Arb., 1999
Deutsch
Diplom-Arbeit
Fraunhofer IAF ()
group III-nitrides; Gruppe III-Nitride; epitaxy; Epitaxie; MOCVD; semiconductor heterostructure; Halbleiterheterostruktur

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-3482.html