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Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat

 
: Nekarda, Jan

:
Frontpage ()

DE 102013220886 A1: 20131015
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen eines Substrats mit zumindest einer Halbleiterschicht und mindestens einer metallischen Elektrode zur elektrischen Kontaktierung; B Zumindest teilweises Beschichten der Elektrode mit einem leitfähigen, lötbaren Material; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass Verfahrensschritt B folgende Verfahrensschritte umfasst: B1 Anordnen des lötbaren Materials an einer Oberfläche der Elektrode; B2 Erzeugen einer mechanisch Haftenden und elektrisch leitenden Verbindung zwischen Elektrode (2) und lötbarem Material durch Beaufschlagen des lötbaren Materials mit Laserstrahlung.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-337542.html